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孙燕婷博士 学术报告
发布日期:2017/6/14

报告题目:III-V 族半导体HVPE制备技术及其在光子集成与光伏中的应用

报告人:孙燕婷 博士,瑞典皇家工学院

时间:2017年6月14日上午10:00-11:00

地点:徐祖耀楼姚征报告厅(A500)

报告人简介:

2003 博士(Ph.D./Tek.D.)半导体材料,Royal Institute of Technology-KTH,瑞典

1998 工学硕士(M.Sc. in Eng.)材料物理,Link?ping University,瑞典

1995 工学学士(B.Eng.)材料科学与工程,东南大学,中国 

专业经历

2016-Present 副教授研究员(Docent),Royal Institute of Technology-KTH,瑞典

2011-2016 研究员,Royal Institute of Technology-KTH,瑞典

摘要:

包括InP,GaAs, GaP与其他多种GaxIn1-xAsyP1-y化合物在内的III-V族半导体是在光通讯与可再生能源等应用领域里可实现多项功能的关键材料。为了制备具有高晶体质量的III-V族半导体功能结构,多类外延技术已被开发出来。其中在接近均衡态条件下进行的氢化物气相外延(HVPE)III-V族半导体制备技术由于具有高达100 m/小时生长速度及相对于SiO2, Si3N4,的极佳生长选择性等特性,该技术被认为是针对光子学及高效光伏应用领域急需的异质半导体材料集成及III-V族半导体三维纳米结构制备的最有前途的解决方案。在这个报告中,我们主要介绍有关利用HVPE通过水平覆盖外延生长(ELOG)技术实现的InP与Si的单片集成,及通过在胶体晶体模版中进行选择外延以实现III-V族半导体三维光子晶体(3D PhC)等领域中的最新进展,并将展示具有光伏效应的InP/Si异质结光二极管及具有符合仿真光学特性的单晶GaInP三维光子晶体。

 

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